RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
73
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1468
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link