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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
10.9
15.4
写入速度,GB/s
6.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2786
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
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