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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
10.9
20.1
写入速度,GB/s
6.6
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3759
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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