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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
10.9
19.8
写入速度,GB/s
6.6
18.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
4128
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
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