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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
10.9
16.7
写入速度,GB/s
6.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2789
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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