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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3773
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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