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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.3
20.6
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3367
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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