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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3104
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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