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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
18.7
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2947
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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