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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
45
读取速度,GB/s
10.1
11.6
写入速度,GB/s
7.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2036
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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