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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

总分
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 92
    左右 55% 更低的延时
V-GEN D4H8GS24A8 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 92
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1484 left arrow 1640

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
内存RAM
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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