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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
17.5
写入速度,GB/s
2,978.2
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3104
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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