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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
68
左右 -172% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
25
读取速度,GB/s
3,973.0
18.2
写入速度,GB/s
1,944.9
13.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3061
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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