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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
17.8
写入速度,GB/s
870.4
15.3
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3366
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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