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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
14.4
写入速度,GB/s
1,590.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2856
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
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