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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
21
读取速度,GB/s
3,726.4
19.7
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3507
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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