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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.5
13.2
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2595
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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