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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.5
16.5
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2741
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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