Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 11.5

Valor medio en las pruebas

Inmos + 256MB

Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 60

En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.1 2,168.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

16800 5300

En 3.17 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Inmos + 256MB

Principales características

Tipo de memoria

DDR2 DDR4
Latencia en PassMark, ns

60 30
Velocidad de lectura, GB/s

4,595.2 11.5
Velocidad de escritura, GB/s

2,168.2 9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps

5300 16800

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

941 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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