Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Motivi da considerare
Inmos + 256MB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 60

Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.1 2,168.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

16800 5300

Intorno 3.17 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Inmos + 256MB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

941 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns