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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valeur moyenne dans les tests
Inmos + 256MB Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 60
    Autour de -100% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    16800 left arrow 5300
    Autour de 3.17 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    941 left arrow 2318

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