RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de -85% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link