RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link