RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link