RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
96
Autour de -269% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3547
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link