RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
96
Por volta de -269% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3547
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link