RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
96
Wokół strony -269% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3547
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link