RAM-Vergleich AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Gesamtnote

AMD R5316G1609U2K 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5316G1609U2K 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

73 86

Rund um 15% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.1 6.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

5.7 5.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

AMD R5316G1609U2K 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1309 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns