Confronto tra le RAM AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Punteggio complessivo

AMD R5316G1609U2K 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

73 86

Intorno 15% latenza inferiore

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.1 6.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

5.7 5.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

AMD R5316G1609U2K 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1309 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns