Comparación de la memoria RAM AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Puntuación global

AMD R5316G1609U2K 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

73 86

En 15% menor latencia

Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.1 6.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

5.7 5.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

AMD R5316G1609U2K 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1309 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns