RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 42

Rund um 33% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.8 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.0 7.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 8500

Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1668 2011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns