Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 42

Wokół strony 33% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

12.8 10.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 7.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 8500

Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1668 2011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns