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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2022
2186
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Frequency (Mhz) *
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