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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2022
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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