RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB против SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2022
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link