RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
92
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2605
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link