RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
71
Rund um -209% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link