RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link