RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link