RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2336
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link