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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2336
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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