RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2336
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link