RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
80
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
1775
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link