RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
80
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
80
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
1775
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link