RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
80
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
80
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
1775
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link