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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
63
Rund um -215% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2939
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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