RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2104
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link