RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2104
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link