RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
94
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.6
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.9
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
94
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
5.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
4.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link