RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
94
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link